TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2273655-TK10P60W,RVQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK10P60W,RVQ
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK | |
| Basisproduktnummer | TK10P60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.7A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | Super Junction | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 700 pF @ 300 V | |
| Verlustleistung (max.) | 80W (Tc) | |
| Andere Namen | TK10P60WRVQDKR TK10P60WRVQCT TK10P60W,RVQ(S TK10P60WRVQTR TK10P60WRVQ |
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