SQJA72EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2287920-SQJA72EP-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQJA72EP-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SQJA72 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 37A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1390 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 55W (Tc) | |
| Andere Namen | SQJA72EP-T1_GE3DKR SQJA72EP-T1_GE3CT SQJA72EP-T1_GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- LDL212PV33RSTMicroelectronics
- SI7738DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- 150282M153310Würth Elektronik
- SQJ416EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ488EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- MMSZ5245B-7-FDiodes Incorporated
- SQJA82EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- MMBTA06-7-FDiodes Incorporated




