SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
NOVA-Teilenummer:
312-2284871-SI2369BDS-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2369BDS-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 30 V 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SI2369 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | +16V, -20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 745 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SI2369BDS-T1-GE3DKR 742-SI2369BDS-T1-GE3TR 742-SI2369BDS-T1-GE3CT |
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