NP50P03YDG-E1-AY
MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
NOVA-Teilenummer:
312-2270311-NP50P03YDG-E1-AY
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NP50P03YDG-E1-AY
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 1W (Ta), 102W (Tc) Surface Mount 8-HSON
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-HSON | |
| Basisproduktnummer | NP50P03 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3500 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 102W (Tc) | |
| Andere Namen | NP50P03YDG-E1-AYDKR -1161-NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDGE1AY NP50P03YDG-E1-AY-ND 559-NP50P03YDG-E1-AYTR 559-NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDG-E1-AYDKR-ND 559-NP50P03YDG-E1-AYDKR NP50P03YDG-E1-AYCT-ND NP50P03YDG-E1-AYTR NP50P03YDG-E1-AYTR-ND |
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