SCT3080AW7TL

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-263-7
Basisproduktnummer	SCT3080
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 18 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Max)	+22V, -4V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	571 pF @ 500 V
Verlustleistung (max.)	125W
Andere Namen	846-SCT3080AW7TLDKR 846-SCT3080AW7TLCT 846-SCT3080AW7TLTR

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