SIHB33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2283618-SIHB33N60E-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHB33N60E-GE3
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | SIHB33 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 33A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3508 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 278W (Tc) | |
| Andere Namen | SIHB33N60EGE3 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SIHB33N60ET5-GE3Vishay Siliconix- SIHB33N60ET1-GE3Vishay Siliconix
VS-15EWL06FNTR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MCP6004-E/STMicrochip Technology- SIHB33N60EF-GE3Vishay Siliconix
ECS-80-8-30Q-VS-TRECS Inc.
FGH60T65SHD-F155onsemi
NCP1077STCT3Gonsemi
