SI8457DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
NOVA-Teilenummer:
312-2292207-SI8457DB-T1-E1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI8457DB-T1-E1
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 12 V 6.5A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) | |
| Basisproduktnummer | SI8457 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.5A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 8 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 4-UFBGA | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2900 pF @ 6 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) | |
| Andere Namen | SI8457DB-T1-E1DKR SI8457DB-T1-E1CT SI8457DB-T1-E1TR |
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