LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
NOVA-Teilenummer:
312-2272490-LND150N3-G-P003
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
LND150N3-G-P003
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
| Basisproduktnummer | LND150 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30mA (Tj) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| FET-Funktion | Depletion Mode | |
| Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 10 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 740mW (Ta) | |
| Andere Namen | LND150N3-G-P003CT LND150N3-G-P003-ND LND150N3-G-P003TR LND150N3-G-P003DKR-ND LND150N3-G-P003DKRINACTIVE LND150N3-G-P003DKR |
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