STB33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2279784-STB33N60DM2
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STB33N60DM2
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | STB33 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | MDmesh™ DM2 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 24A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1870 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 190W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-16354-2 497-16354-1 497-16354-6 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
STB36NM60NSTMicroelectronics- STB35N60DM2STMicroelectronics
- STB33N60M2STMicroelectronics