SI8416DB-T2-E1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Basisproduktnummer	SI8416
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	16A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	6-UFBGA
Vgs (Max)	±5V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1470 pF @ 4 V
Verlustleistung (max.)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Andere Namen	SI8416DB-T2-E1-ND SI8416DB-T2-E1DKR SI8416DB-T2-E1CT SI8416DB-T2-E1TR

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