SI3443DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
NOVA-Teilenummer:
312-2284499-SI3443DDV-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI3443DDV-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 6-TSOP | |
| Basisproduktnummer | SI3443 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta), 5.3A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 4.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 8 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 970 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) | |
| Andere Namen | SI3443DDV-T1-GE3DKR SI3443DDV-T1-GE3CT SI3443DDV-T1-GE3TR |
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