DMN2011UFDE-7

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Diodes Incorporated
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	U-DFN2020-6 (Type E)
Basisproduktnummer	DMN2011
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	6-PowerUDFN
Vgs (Max)	±12V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2248 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	610mW (Ta)
Andere Namen	DMN2011UFDE-7DIDKR DMN2011UFDE-7DITR DMN2011UFDE-7DICT

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