FQB34P10TM

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MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

NOVA-Teilenummer:

312-2273631-FQB34P10TM

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

FQB34P10TM

Standardpaket:

800

Technisches Datenblatt:

P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	D²PAK (TO-263)
Basisproduktnummer	FQB34P10
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	QFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	33.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±25V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2910 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	3.75W (Ta), 155W (Tc)
Andere Namen	FQB34P10TM-ND FQB34P10TMTR FQB34P10TMCT 2156-FQB34P10TM-OS FQB34P10TMDKR ONSONSFQB34P10TM