SISS32DN-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Basisproduktnummer	SISS32
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	17.4A (Ta), 63A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1930 pF @ 40 V
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Andere Namen	SISS32DN-T1-GE3TR SISS32DN-T1-GE3DKR SISS32DN-T1-GE3CT

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