IRFH8202TRPBF
MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2294532-IRFH8202TRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRFH8202TRPBF
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 25 V 47A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN (5x6) | |
| Basisproduktnummer | IRFH8202 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 47A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7174 pF @ 13 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) | |
| Andere Namen | IRFH8202TRPBFCT IRFH8202TRPBF-ND SP001572718 IRFH8202TRPBFTR IRFH8202TRPBFDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- OPA376AIDCKRTexas Instruments
- STTH30R02DJF-TRSTMicroelectronics
- BZX884-B10,315NXP Semiconductors
- BZX884-B13,315Nexperia USA Inc.
- IRFH8201TRPBFInfineon Technologies






