HUF76629D3ST
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
NOVA-Teilenummer:
312-2288159-HUF76629D3ST
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
HUF76629D3ST
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | HUF76629 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | UltraFET™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±16V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1285 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) | |
| Andere Namen | HUF76629D3STTR HUF76629D3ST-ND HUF76629D3STCT HUF76629D3STDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
DMN10H100SK3-13Diodes Incorporated