NTTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
NOVA-Teilenummer:
312-2288504-NTTFS6H850NTAG
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTTFS6H850NTAG
Standardpaket:
1,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Basisproduktnummer | NTTFS6 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Ta), 68A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1140 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 107W (Tc) | |
| Andere Namen | NTTFS6H850NTAGOSDKR NTTFS6H850NTAGOSTR NTTFS6H850NTAGOSCT NTTFS6H850NTAG-ND |
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