IPD30N06S215ATMA2

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO252-3-11
Basisproduktnummer	IPD30N06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1485 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Andere Namen	SP001061724 IPD30N06S215ATMA2DKR 2156-IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2TR IPD30N06S215ATMA2CT IPD30N06S215ATMA2-ND INFINFIPD30N06S215ATMA2

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