IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
NOVA-Teilenummer:
312-2283614-IPB110N20N3LFATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPB110N20N3LFATMA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3 | |
| Basisproduktnummer | IPB110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 88A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 260µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 650 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) | |
| Andere Namen | SP001503864 IPB110N20N3LFATMA1DKR IPB110N20N3LFATMA1TR IPB110N20N3LFATMA1CT IPB110N20N3LFATMA1-ND |
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