RQ3E180AJTB
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
NOVA-Teilenummer:
312-2263242-RQ3E180AJTB
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RQ3E180AJTB
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Basisproduktnummer | RQ3E180 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Ta), 30A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4290 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 30W (Tc) | |
| Andere Namen | RQ3E180AJTBCT RQ3E180AJTBDKR RQ3E180AJTBTR |
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