NTD4979N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2301908-NTD4979N-35G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTD4979N-35G
Standardpaket:
75
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-PAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | I-PAK | |
| Basisproduktnummer | NTD4979 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 837 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) | |
| Andere Namen | ONSONSNTD4979N-35G 2156-NTD4979N-35G-OS |
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