IRF8010PBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

NOVA-Teilenummer:

312-2277678-IRF8010PBF

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IRF8010PBF

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-220AB
Basisproduktnummer	IRF8010
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-220-3
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3830 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	260W (Tc)
Andere Namen	2156-IRF8010PBFINF *IRF8010PBF SP001575444 INFIRFIRF8010PBF

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!