SIHG018N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
NOVA-Teilenummer:
312-2265002-SIHG018N60E-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHG018N60E-GE3
Standardpaket:
500
Technisches Datenblatt:

N-Channel 600 V 99A (Tc) 524W (Tc) Through Hole TO-247AC

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-247AC
Basisproduktnummer SIHG018
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieE
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 99A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 228 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-247-3
Vgs (Max)±30V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7612 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.) 524W (Tc)

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