DMG1012UW-7

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Diodes Incorporated
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SOT-323
Basisproduktnummer	DMG1012
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.74 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SC-70, SOT-323
Vgs (Max)	±6V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	60.67 pF @ 16 V
Verlustleistung (max.)	290mW (Ta)
Andere Namen	DMG1012UW-7DICT DMG1012UW7 DMG1012UW-7DIDKR DMG1012UW-7DITR

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