SUP90100E-GE3
N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
NOVA-Teilenummer:
312-2298872-SUP90100E-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SUP90100E-GE3
Standardpaket:
500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 150A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3930 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SUP90100E-GE3 |
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