DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2290248-DMT10H010LSS-13
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMT10H010LSS-13
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO | |
| Basisproduktnummer | DMT10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3000 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) | |
| Andere Namen | DMT10H010LSS-13DITR DMT10H010LSS-13-ND DMT10H010LSS-13DIDKR DMT10H010LSS-13DICT |
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