SQJ211ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2288006-SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQJ211ELP-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 100 V 33.6A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Basisproduktnummer | SQJ211 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 33.6A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3800 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 68W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SQJ211ELP-T1_GE3CT 742-SQJ211ELP-T1_GE3DKR 742-SQJ211ELP-T1_GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SQJ459EP-T1_GE3Vishay Siliconix
AM26C32IPWRTexas Instruments
SISS71DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJ481EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SI7489DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SQJA81EP-T1_GE3Vishay Siliconix
2N7002NXAKRNexperia USA Inc.
NSVBSS63LT1Gonsemi
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
INA180A1IDBVRTexas Instruments- SQJ479EP-T1_GE3Vishay Siliconix
