CSD19538Q2T
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
NOVA-Teilenummer:
312-2288150-CSD19538Q2T
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
CSD19538Q2T
Standardpaket:
250
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 6-WSON (2x2) | |
| Basisproduktnummer | CSD19538 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13.1A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 454 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) | |
| Andere Namen | 296-44612-1 296-44612-2 296-44612-6 |
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