SIHD240N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2264421-SIHD240N60E-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHD240N60E-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

N-Channel 600 V 12A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA
Basisproduktnummer SIHD240
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieE
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)±30V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 783 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Andere NamenSIHD240N60E-GE3CT
SIHD240N60E-GE3DKR-ND
SIHD240N60E-GE3CT-ND
SIHD240N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHD240N60E-GE3TR-ND
SIHD240N60E-GE3DKR
SIHD240N60E-GE3TRINACTIVE
SIHD240N60E-GE3TR

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