IPB180N10S402ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

NOVA-Teilenummer:

312-2283504-IPB180N10S402ATMA1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IPB180N10S402ATMA1

Standardpaket:

1,000

Technisches Datenblatt:

N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-7-3
Basisproduktnummer	IPB180
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	180A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 275µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	14600 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Andere Namen	IPB180N10S402ATMA1DKR IPB180N10S402ATMA1CT IPB180N10S402ATMA1-ND IPB180N10S402ATMA1TR SP001057184 INFINFIPB180N10S402ATMA1 2156-IPB180N10S402ATMA1