IRF740LCPBF

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-220AB
Basisproduktnummer	IRF740
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-220-3
Vgs (Max)	±30V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	400 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1100 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Andere Namen	*IRF740LCPBF

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