TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
NOVA-Teilenummer:
312-2283324-TK31V60X,LQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK31V60X,LQ
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 4-DFN-EP (8x8) | |
| Basisproduktnummer | TK31V60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DTMOSIV-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30.8A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 9.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | Super Junction | |
| Paket/Koffer | 4-VSFN Exposed Pad | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3000 pF @ 300 V | |
| Verlustleistung (max.) | 240W (Tc) | |
| Andere Namen | TK31V60X,LQ(S TK31V60XLQDKR TK31V60XLQCT TK31V60XLQTR |
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