IPB60R099P7ATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-3
Basisproduktnummer	IPB60R099
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ P7
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	31A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 530µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1952 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	117W (Tc)
Andere Namen	IPB60R099P7ATMA1CT IPB60R099P7ATMA1-ND SP001664910 2156-IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7 IPB60R099P7ATMA1TR IPB60R099P7ATMA1DKR IFEINFIPB60R099P7ATMA1

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