BSP320SH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
NOVA-Teilenummer:
312-2287773-BSP320SH6327XTSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSP320SH6327XTSA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 2.9A (Tj) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT223-4 | |
| Basisproduktnummer | BSP320 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SIPMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.9A (Tj) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 340 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) | |
| Andere Namen | BSP320SH6327XTSA1DKR BSP320SH6327XTSA1TR BSP320SH6327XTSA1CT BSP320SH6327XTSA1-ND SP001058768 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- BSP318SH6327XTSA1Infineon Technologies
- ZXMN6A11GTADiodes Incorporated
- NVF3055L108T1Gonsemi
- IRFL014TRPBFVishay Siliconix
- NTF3055-100T1Gonsemi
- IRLL014NTRPBFInfineon Technologies
- NTF3055L108T1Gonsemi
- IRLL014TRPBFVishay Siliconix
- BC856AW,115Nexperia USA Inc.




