IRF135S203

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-3-2
Basisproduktnummer	IRF135
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	129A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4mOhm @ 77A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	270 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	135 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	9700 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	441W (Tc)
Andere Namen	IRF135S203TR SP001570032 IRF135S203-ND IRF135S203DKR IRF135S203CT

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