IAUT200N08S5N023ATMA1
MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
NOVA-Teilenummer:
312-2289719-IAUT200N08S5N023ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IAUT200N08S5N023ATMA1
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-HSOF-8-1 | |
| Basisproduktnummer | IAUT200 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™-5 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 130µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerSFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7670 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) | |
| Andere Namen | IAUT200N08S5N023ATMA1TR IAUT200N08S5N023CT-ND IAUT200N08S5N023DKR IAUT200N08S5N023TR-ND IAUT200N08S5N023 2156-IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023DKR-ND IAUT200N08S5N023ATMA1DKR IAUT200N08S5N023ATMA1CT IAUT200N08S5N023CT IFEINFIAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023TR SP001688332 |
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