IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2285277-IPN50R650CEATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPN50R650CEATMA1
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT223-3 | |
| Basisproduktnummer | IPN50R650 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ CE | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 13V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 342 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Tc) | |
| Andere Namen | IPN50R650CEATMA1TR IPN50R650CEATMA1-ND SP001434880 INFINFIPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1DKR IPN50R650CEATMA1CT 2156-IPN50R650CEATMA1 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IPD50R650CEAUMA1Infineon Technologies
IPD70R600P7SAUMA1Infineon Technologies
IPN50R800CEATMA1Infineon Technologies