NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
NOVA-Teilenummer:
312-2298243-NTMTSC1D6N10MCTXG
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount, Wettable Flank | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-TDFNW (8.3x8.4) | |
| Basisproduktnummer | NTMTSC1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 35A (Ta), 267A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 650µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7630 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5.1W (Ta), 291W (Tc) | |
| Andere Namen | 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR |
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