SI7370DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2278807-SI7370DP-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7370DP-T1-E3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

N-Channel 60 V 9.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer SI7370
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferPowerPAK® SO-8
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)60 V
Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta)
Andere NamenSI7370DP-T1-E3TR
SI7370DP-T1-E3DKR
SI7370DP-T1-E3CT
SI7370DPT1E3

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