SIDR104AEP-T1-RE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8DC
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3250 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	6.5W (Ta), 120W (Tc)
Andere Namen	742-SIDR104AEP-T1-RE3TR 742-SIDR104AEP-T1-RE3CT 742-SIDR104AEP-T1-RE3DKR

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