FQD4P25TM-WS
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2274908-FQD4P25TM-WS
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQD4P25TM-WS
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | FQD4P25 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.1A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 1.55A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 420 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | |
| Andere Namen | FQD4P25TM_WS-ND FQD4P25TM_WSDKR-ND FQD4P25TM-WSDKR FQD4P25TM-WSTR FQD4P25TM_WS FQD4P25TM-WSCT FQD4P25TM_WSDKR FQD4P25TM_WSTR FQD4P25TM_WSCT-ND FQD4P25TM_WSCT FQD4P25TM_WSTR-ND |
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