TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2303803-TSM2N60SCW RPG
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TSM2N60SCW RPG
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223 | |
| Basisproduktnummer | TSM2 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 600mA (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 600mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 435 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Tc) | |
| Andere Namen | TSM2N60SCW RPGCT-ND TSM2N60SCWRPGTR TSM2N60SCWRPGCT TSM2N60SCW RPGDKR TSM2N60SCWRPGDKR TSM2N60SCW RPGTR TSM2N60SCW RPGCT TSM2N60SCW RPGTR-ND TSM2N60SCW RPGDKR-ND |
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