NVTFWS9D6P04M8LTAG

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-WDFN (3.3x3.3)
Basisproduktnummer	NVTFWS9
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	13A (Ta), 64A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 580µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	34.6 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerWDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2312 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)	3.2W (Ta), 75W (Tc)
Andere Namen	488-NVTFWS9D6P04M8LTAGCT 488-NVTFWS9D6P04M8LTAGDKR 488-NVTFWS9D6P04M8LTAGTR

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