IPT65R033G7XTMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-HSOF-8-2
Basisproduktnummer	IPT65R033
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ C7
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	69A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 28.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.44mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerSFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	5000 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	391W (Tc)
Andere Namen	IPT65R033G7XTMA1CT 2156-IPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1-ND IPT65R033G7XTMA1DKR SP001456202 INFINFIPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1TR

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