IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
NOVA-Teilenummer:
312-2263575-IRFD210PBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRFD210PBF
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 4-HVMDIP | |
| Basisproduktnummer | IRFD210 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 600mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 140 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) | |
| Andere Namen | *IRFD210PBF |
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