STB42N65M5

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	STMicroelectronics
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	D2PAK
Basisproduktnummer	STB42
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	MDmesh™ V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	33A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	79mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±25V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4650 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Andere Namen	-760-STB42N65M5TR-ND -1138-STB42N65M5CT 497-STB42N65M5DKR 497-8769-6-ND -1138-STB42N65M5TR 497-8769-1 497-8769-2 497-8769-2-ND 497-8769-6 -1138-STB42N65M5-ND 497-STB42N65M5TR 497-8769-1-ND 497-STB42N65M5CT -760-STB42N65M5TR -1138-STB42N65M5 -1138-STB42N65M5DKR

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