NTMFS6B03NT3G
MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
NOVA-Teilenummer:
312-2311486-NTMFS6B03NT3G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTMFS6B03NT3G
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 132A (Tc) 3.4W (Ta), 165W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Basisproduktnummer | NTMFS6 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A (Ta), 132A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4200 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.4W (Ta), 165W (Tc) | |
| Andere Namen | ONSONSNTMFS6B03NT3G 2156-NTMFS6B03NT3G-OS |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
NTAT6H406NT4Gonsemi
DMN10H120SFG-7Diodes Incorporated
NTMFS5C670NLT1Gonsemi
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
IRL530NSTRLPBFInfineon Technologies- IRL540NSTRLPBFInfineon Technologies
FDMS86350onsemi
NVMFS6H818NT1Gonsemi- NVMFS6B05NLT1Gonsemi
- NTD6416ANT4Gonsemi
- NTMFS3D6N10MCLT1Gonsemi
DI100N10PQDiotec Semiconductor
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
AUIRFS4010-7TRLInternational Rectifier
