PSMN1R0-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
NOVA-Teilenummer:
312-2290475-PSMN1R0-25YLDX
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
PSMN1R0-25YLDX
Standardpaket:
1,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Basisproduktnummer | PSMN1R0 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.89mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 71.8 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Body) | |
| Paket/Koffer | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5308 pF @ 12 V | |
| Verlustleistung (max.) | 160W (Tc) | |
| Andere Namen | 568-12927-6-ND 568-12927-6 568-12927-2-ND 1727-2495-6 568-12927-1-ND 568-12927-1 1727-2495-1 1727-2495-2 568-12927-2 934069908115 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- 1N5243BTRonsemi
- SI2369DS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- LM317AEMPTexas Instruments
- LB1836M-TLM-Eonsemi
- 1N5233BTRonsemi






