IXFT60N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
NOVA-Teilenummer:
312-2279831-IXFT60N65X2HV
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IXFT60N65X2HV
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-268HV (IXFT) | |
| Basisproduktnummer | IXFT60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 6300 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 780W (Tc) | |
| Andere Namen | -IXFT60N65X2HV |
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