BSC026N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2282413-BSC026N04LSATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSC026N04LSATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-6 | |
| Basisproduktnummer | BSC026 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 23A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2300 pF @ 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) | |
| Andere Namen | BSC026N04LSATMA1-ND SP001067014 BSC026N04LSATMA1DKR BSC026N04LSATMA1TR BSC026N04LSATMA1CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
BAT54C-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V2P22L-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
BSC010N04LSATMA1Infineon Technologies
150060RS75000Würth Elektronik
SI7234DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC032N04LSATMA1Infineon Technologies
BSC027N04LSGATMA1Infineon Technologies
LT3763EFE#PBFAnalog Devices Inc.
ABM3-12.000MHZ-D2Y-TAbracon LLC- BSC035N04LSGATMA1Infineon Technologies
IPB80P04P4L06ATMA2Infineon Technologies- BSC022N04LS6ATMA1Infineon Technologies
